Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10889/14632
Title: Σχεδιασμός και υλοποίηση ευρυζωνικού ενισχυτή χαμηλού θορύβου υψηλής γραμμικότητας
Other Titles: Design and implementation of a wideband low noise amplifier with high linearity
Authors: Παναγοδήμος, Ηλίας
Keywords: Ενισχυτές
Σχεδίαση υψηλών συχνοτήτων
Τηλεπικοινωνιακά ηλεκτρονικά
Χαμηλή κατανάλωση ισχύος
Υψηλή γραμμικότητα
Keywords (translated): Amplifier
Low Noise Amplifier (LNA)
RF front end
High linearity
Low power consumption
Cascode
Common base
Abstract: Στη παρούσα διπλωματική εργασία γίνεται η σχεδίαση και η υλοποίηση σε πλακέτα PCB ενός ευρυζωνικού ενισχυτή χαμηλού θορύβου(LNA) με περιοχή λειτουργίας 5-10 GHz με βελτίωση της γραμμικής συμπεριφοράς. Ο ενισχυτής αυτός προορίζεται να χρησιμοποιηθεί σε δέκτη μικροκυματικών συχνοτήτων και αποτελεί αναπόσπαστο κομμάτι αυτού. Η σχεδίαση έγινε με την βοήθεια του λογισμικού Advanced Design System(ADS) της εταιρίας Keysight, και του εργαλείου που αυτό διαθέτει, το Momentum.
Abstract (translated): In this diploma thesis, a Low Noise Amplifier which operates from 5 to 10 GHz frequency with high linearity is designed. The LNA was implemented in a combination of a common base topology followed by a cascode topology. In order to achieve greater linearity, the derivative superposition technique was added to the design. The transistor was selected to be Infineon’s BFP840FESD which is an heterojunction bipolar transistor and the simulations were performed using Keysight’s Advanced Design System (ADS). Initially, lumped components were used for the design of the LNA, which later were converted to transition lines. Electromagnetic simulations were also performed for the design of the PCB using ADS’s tool Momentum. For the input and output to be properly matched, a Chebyshev Bandpass filter was designed thus we achieved wideband performance(S11 and S22 < -10dB). The gain of the LNA is 10 dB with gain variation of 1.5 dB and the Noise Figure is lower than 4 dB, Finally, an IP3 of 12 dBm was achieved.
Appears in Collections:Τμήμα Ηλεκτρολ. Μηχαν. και Τεχνολ. Υπολογ. (ΔΕ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Elias_Panagodemos.pdf7.48 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.