Ανάπτυξη μεθόδων για τη ρύθμιση του σημείου μηδενικού φορτίου, των σταθερών επιφανειακής διαστάσεως και της συγκεντρώσεως των φορτισμένων επιφανειακών ομάδων καταλυτικών φορέων : εφαρμογή στα γ-Α12 Ο3, Si2 και TiO2

Loading...
Thumbnail Image

Date

2009-10-09T18:18:35Z

Authors

Ακρατοπούλου, Αικατερίνη

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Abstract

Στο πρώτο Κεφάλαιο επιχειρείται μια βιβλιογραφική αναφορά στις μεθόδους που έχουν αναπτυχθεί έως τώρα προκειμένου να επιτευχθεί ρύθμιση της προσροφητικής ικανότητας καταλυτικών φορέων και περιτράφεται λεπτομερέστερα ο στόχος της εργασίας αυτής. Στο δεύτερο Κεφάλαιο τίνεται πολύ σύντομη αναφορά στη δομή της διπλοστοιβάδας στερεού- υγρού. Ιδιαίτερα αναπτύσσεται το μοντέλο της τριπλοστοιβάδας το οποίο εφαρμόσαμε στην επεξεργασία των πειραματικών μας αποτελεσμάτων.Το ευρύτερα χρησιμοποιούμενο οξείδιο - φορέας στην Κατάλυση είναι το γ~ ΑΙ2 03 για τη δομή του οποίου έχουν γίνει εκτενείς μελέτες (1-13). Το γ- ΑΙ2 03 ήταν ο πρώτος φορέας που μελετήσαμε.Η έρευνα μας επεκτάθηκε κατόπιν και στα SiO2 και TiO2 που επίσης παρουσιάζουν τα τελευταία χρόνια αξιόλογο ενδιαφέρον ως καταλυτικοί φόρείς. Ετσι, στο Κεφάλαιο III γίνεται μια ανασκόπηση των κρυσταλλογραφικών τους δομών και της εφαρμογής τους στην Κατάλυση. Το Κεφάλαιο IV αποτελεί το Πειραματικό Μέρος όπου, εκτός από τις λεπτομέρειες της πειραματικής διαδικασίας,αναλύεται η μεθοδολογία προσδιορισμού των μεγεθών που χαρακτηρίζουν την επιφάνεια των μελετούμενων οξειδίων. Στο Κεφάλαιο V γίνεται η παρουσίαση των αποτελεσμάτων και ακολουθεί, στο Κεφάλαιο VI , η συζήτηση και η εξαγωγή των γενικών συμπερασμάτων όσον αφορά στη σν\)ΐασία των προτεινόμενων μεθόδων ρυθμίσεως των φορτισμένων επιφανειακών ομάδων στη σύνθεση, με προσρόφηση, δραστικών καταλυτών στηριζόμενων σε γ- ΑΙ2 03, SiO2 και ΤiΟ2 .

Description

Keywords

Κατάλυση, Χημεία επιφανειών

Citation