Ανάπτυξη μεθόδων για τη ρύθμιση του σημείου μηδενικού φορτίου, των σταθερών επιφανειακής διαστάσεως και της συγκεντρώσεως των φορτισμένων επιφανειακών ομάδων καταλυτικών φορέων : εφαρμογή στα γ-Α12 Ο3, Si2 και TiO2

dc.contributor.advisorΛυκουργιώτης, Αλέξιος
dc.contributor.authorΑκρατοπούλου, Αικατερίνη
dc.contributor.committeeΛυκουργιώτης, Αλέξιος
dc.contributor.committeeΒολιώτης, Σταύρος
dc.contributor.committeeΒάττης, Δημήτριος
dc.contributor.committeeΚουτσούκος, Πέτρος
dc.contributor.otherAkratopoulou, Ekaterini
dc.date.accessioned2009-10-09T18:18:35Z
dc.date.available2009-10-09T18:18:35Z
dc.date.copyright1989
dc.date.issued2009-10-09T18:18:35Z
dc.degreeΔιδακτορική Διατριβήen
dc.description.abstractΣτο πρώτο Κεφάλαιο επιχειρείται μια βιβλιογραφική αναφορά στις μεθόδους που έχουν αναπτυχθεί έως τώρα προκειμένου να επιτευχθεί ρύθμιση της προσροφητικής ικανότητας καταλυτικών φορέων και περιτράφεται λεπτομερέστερα ο στόχος της εργασίας αυτής. Στο δεύτερο Κεφάλαιο τίνεται πολύ σύντομη αναφορά στη δομή της διπλοστοιβάδας στερεού- υγρού. Ιδιαίτερα αναπτύσσεται το μοντέλο της τριπλοστοιβάδας το οποίο εφαρμόσαμε στην επεξεργασία των πειραματικών μας αποτελεσμάτων.Το ευρύτερα χρησιμοποιούμενο οξείδιο - φορέας στην Κατάλυση είναι το γ~ ΑΙ2 03 για τη δομή του οποίου έχουν γίνει εκτενείς μελέτες (1-13). Το γ- ΑΙ2 03 ήταν ο πρώτος φορέας που μελετήσαμε.Η έρευνα μας επεκτάθηκε κατόπιν και στα SiO2 και TiO2 που επίσης παρουσιάζουν τα τελευταία χρόνια αξιόλογο ενδιαφέρον ως καταλυτικοί φόρείς. Ετσι, στο Κεφάλαιο III γίνεται μια ανασκόπηση των κρυσταλλογραφικών τους δομών και της εφαρμογής τους στην Κατάλυση. Το Κεφάλαιο IV αποτελεί το Πειραματικό Μέρος όπου, εκτός από τις λεπτομέρειες της πειραματικής διαδικασίας,αναλύεται η μεθοδολογία προσδιορισμού των μεγεθών που χαρακτηρίζουν την επιφάνεια των μελετούμενων οξειδίων. Στο Κεφάλαιο V γίνεται η παρουσίαση των αποτελεσμάτων και ακολουθεί, στο Κεφάλαιο VI , η συζήτηση και η εξαγωγή των γενικών συμπερασμάτων όσον αφορά στη σν\)ΐασία των προτεινόμενων μεθόδων ρυθμίσεως των φορτισμένων επιφανειακών ομάδων στη σύνθεση, με προσρόφηση, δραστικών καταλυτών στηριζόμενων σε γ- ΑΙ2 03, SiO2 και ΤiΟ2 .en
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/10889/2022
dc.language.isogren
dc.relation.isformatofΗ ΒKΠ διαθέτει αντίτυπο της διατριβής σε έντυπη μορφή στο βιβλιοστάσιο διδακτορικών διατριβών που βρίσκεται στο ισόγειο του κτιρίου.en
dc.rights0en
dc.subjectΚατάλυσηen
dc.subjectΧημεία επιφανειώνen
dc.subject.alternativeCatalysisen
dc.subject.alternativeSurface chemistryen
dc.subject.ddc541.395en
dc.titleΑνάπτυξη μεθόδων για τη ρύθμιση του σημείου μηδενικού φορτίου, των σταθερών επιφανειακής διαστάσεως και της συγκεντρώσεως των φορτισμένων επιφανειακών ομάδων καταλυτικών φορέων : εφαρμογή στα γ-Α12 Ο3, Si2 και TiO2en
dc.typeThesisen

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
Ακρατοπούλου (αρχείο ΕΑΔΔ).pdf
Size:
4.85 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
License bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
6.79 KB
Format:
Item-specific license agreed upon to submission
Description: